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인텔-마이크론, 낸드보다 1000배 빠른 차세대 메모리 ‘3D 크로스포인트' 발표

배셰태 2015. 7. 30. 11:28

인텔-마이크론, 낸드보다 1000배 빠른 차세대 메모리 발표

전자신문 2015.07.30(목) 배옥진 기자

http://www.etnews.com/20150729000227?m=1

 

인텔과 마이크론이 D램과 낸드플래시 메모리를 하나로 합친 차세대 메모리를 내년부터 양산한다. 기존 D램·낸드보다 데이터 처리 속도와 내구성은 높이고 가격은 낮춘다는 전략이어서 기존 메모리 시장 구도에 어떤 변화를 이끌지 눈길을 끈다.

 

인텔과 마이크론은 전통적인 메모리 반도체 소자인 트랜지스터와 커패시터를 완전히 없앤 새로운 비휘발성 메모리 기술 ‘3D 크로스포인트(XPoint)’를 29일 발표했다. 하반기 샘플 공급을 거쳐 내년에 양산을 시작한다.

 

3D 크로스포인트 기술을 적용한 새로운 메모리는 낸드와 D램을 하나로 합친 전혀 새로운 제품군이다. 전통적 반도체 소자인 트랜지스터와 커패시터를 완전히 없앤 것이 가장 큰 특징이다. 기존 소자 특성상 데이터가 마이크로프로세서에 접근할 때 속도가 느려지는데 이를 새로운 소재로 대체함에 따라 데이터를 지웠다가 다시 쓰는 과정이 없어져 처리 속도가 빨라졌다.

 

3D 크로스포인트 기술은 낸드보다 데이터 처리속도가 1000배 빠르고 내구성은 1000배 높다. D램보다 용량 집적도는 10배 이상 커졌다. 데이터 접근 지연시간은 기존 마이크로초에서 나노초 단위로 측정할 정도로 빨라진다.

 

찰스 브라운 인텔 스토리지솔루션아키텍트 설계 담당 박사는 29일 서울 코엑스 인터콘티넨탈호텔에서 새로운 `3D 크로스포인트` 기술을 설명했다.>

 

◇트랜지스터·커패시터 없앤 비결은 ‘소재’

 

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◇D램·낸드 구분 없는 무한 경쟁 예고

 

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인텔은 기존 메모리 시장 구조를 완전히 무너뜨릴 혁신 기술이 될 것으로 전망했다. 반면에 반도체 업계는 3D 크로스포인트 기술 제품이 시장에 어떤 영향을 미칠지 가늠하기 어렵다는 분위기다. 초기 가격대도 시장 보급에 중요한 영향을 끼칠 전망이다. 무엇보다 신기술 채택으로 나타날 수 있는 초기 불안정 우려를 불식시키는 게 중요하다.

 

찰스 브라운 박사는 “3D 크로스포인트 기술 제품이 D램을 완전히 대체할지는 알 수 없다”며 “시간이 흐르고 기술 수준이 높아질수록 시장에 미치는 영향력이 커질 것”으로 기대했다.