‘3D 크로스포인트’ 기술로 D램 시장서 다시 격돌하는 인텔 vs 삼성전자

D램 시장서 다시 격돌하는 인텔 vs 삼성전자

전자신문 2015.08.20(목) 배옥진 기자

http://www.etnews.com/20150820000217?m=1

 

인텔이 ‘3D 크로스포인트’ 기술을 선보이며 31년 만에 D램 시장에 다시 진출한다. 정식으로 D램을 제조하는 게 아니라 D램과 낸드를 결합한 차세대 메모리로 서버용 D램 시장부터 공략을 시작한다.

 

삼성전자는 DDR4 이후 새로운 D램 개발에 박차를 가하며 인텔 움직임을 예의주시하고 있다. 세계 반도체 시장 1·2위 간 기술 경쟁이 눈길을 끈다.

 

인텔은 미국 샌프란시스코 모스콘센터에서 열린 인텔개발자포럼(IDF) 2015 둘째 날인 19일(현지시각) 3D 크로스포인트를 적용한 제품 전략을 일부 공개했다.

 

인텔은 상세한 제품 스펙이나 출시 일정을 발표하지 않았다. 하지만 지난달 29일 신기술을 처음 발표한 이후 반도체 업계에서 제기된 가격과 성능 경쟁력에 대한 의문을 일정 부분 해소하는데 중점을 뒀다.

 

SSD뿐만 아니라 서버용 듀얼 인라인 메모리 모듈(DIMM) 출시를 예고해 낸드플래시와 D램 시장에 모두 영향을 끼칠 것을 예고했다.

 

다이앤 브라이언트 인텔 데이터센터그룹 수석부사장 겸 총괄매니저는 “3D 크로스포인트 기반 서버 DIMM은 메인 메모리에 처음으로 비휘발성 메모리를 사용하는 사례가 될 것”이라며 “서버용 메모리 변화의 첫 출발”이라고 강조했다.

 

서버 D램을 SSD가 일정 부분 대체하는 셈이어서 기존 D램 제조사인 삼성전자·SK하이닉스와 인텔간 영역 다툼이 불가피하다. 서버 D램 전체를 대체할 수는 없지만 기존 서버 설계를 바꿔 최대한 대체 영역을 끌어낸다는 게 인텔 전략이다.

 

◇인텔 D램 재도전 전략은 ‘서버 D램 변화’

 

인텔은 마이크론과 공동 개발한 차세대 메모리 기술 3D크로스포인트를 발표한 데 이어 IDF 2015에서 이 기술을 적용한 서버용 DIMM과 솔리드스테이트드라이브(SSD)를 개발 중이라고 밝혔다.

 

우선 3D크로스포인트 기술을 적용한 새로운 SSD 브랜드 ‘옵테인(Optane)’을 발표했다. 기존 낸드플래시보다 데이터 접근 속도가 1000배 빠르고 내구성도 1000배 높다고 인텔 측은 설명했다. 집적도는 D램보다 10배 이상 높다.

 

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당초 국내 반도체 업계는 3D 크로스포인트 기술 기반 칩이 기존 낸드플래시 시장 위주로 영향을 끼칠 것으로 예상했다. 하지만 인텔이 서버용 DIMM 개발을 발표함에 따라 D램 시장에도 변화가 불가피하다. 삼성전자와 SK하이닉스도 상황을 예의주시 하고 있다.

 

IDF 현장에서 만난 국내 반도체 기업 한 관계자는 “인텔이 3D크로스포인트 기술 기반 SSD를 시연했지만 실제 환경에서 그만큼 성능을 발휘할지 의문”이라며 “실제 제품이 출시돼야 시장에 얼마나 영향력을 끼칠지, 경쟁사에 얼마나 타격을 입힐지 알 수 있을 것”이라고 말했다.

 

◇DDR4 이후 차세대 D램 개발에 속도

 

D램 시장 1·2위인 삼성전자와 SK하이닉스는 DDR4를 이을 차세대 D램 개발에 속도를 내고 있다.

 

..이하 전략